Наногетероэлектроника
Сотрудники кафедры проводят исследования в области наноматериалов и нанотехнологий, физических процессов в наносистемах, принципах разработки и исследования микро- и наноэлектронных приборов.
Активно ведутся исследования работы приборов в области некремниевой электроники, разработке технологий изготовления конструкций и прототипов приборов СВЧ, силовой и функциональной электроники и многое другое. Исследования по данному направлению ведутся на приборах и установках НАНОЦЕНТРА НИЯУ МИФИ.
Ниже приведены некоторые примеры проектов в которых участвуют сотрудники кафедры:
• Разработка темплейтов нитрида галлия на подложках кремния для приборов оптической и СВЧ электроники
Цель исследования, разработки
Реализованный проект направлен разработку технологических основ создания темплейтов нитрида галлия на подложках кремния с низкой плотностью прорастающих дислокаций с использованием хлоридно-гидридной эпитаксии.
Целью выполнения работ по данному проекту является разработка экономичных методов изготовления высококачественных темплейтов нитрида галлия на подложках кремния (GaN/Si), предназначенных для создания на их основе широкой номенклатуры устройств оптической и СВЧ-электроники.
• Разработка технологии и организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на кремниевых подложках для изделий силовой микроэлектроники
Цель исследования, разработки
Реализуемый проект направлен разработку технологии получения гетероэпитаксиальных структур нитридов III группы на подложках кремния монокристаллического методами газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии для изготовления силовых транзисторов.
Целью выполнения работ по данному проекту является разработка технологии выращивания гетероэпитаксиальных структур нитридов III группы на кремниевых подложках, позволяющей существенно снизить себестоимость силовых транзисторов по отношению к аналогичной технологии на карбиде кремния и обеспечивающей конкурентное преимущество по сравнению с традиционным материалом – кремнием, а также организация опытного производства гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN/Si для силовых транзисторов.