Научные и технологические достижения:- Выполнен цикл работ по оптимизации квантового дизайна и технологии эпитаксиального роста РНЕМТ GaAs и InP HEMT, метаморфных НЕМТ гетероструктур, являющихся основными материалами для СВЧ полупроводниковой электроники.
- Определены ключевые параметры зонной структуры РНЕМТ структур с квантовыми ямами для СВЧ электроники – зависимости концентрации и подвижности электронов, их эффективной массы от концентрации легирования кремнием.
- Разработан технологический процесс РНЕМТ-015 с длиной затвора 150 нм, являющийся основой для создания СВЧ микросхем малошумящих усилителей, не уступающих по параметрам лучшим мировым аналогам, на частоту до 40 ГГц.
- Разработаны новые радиационно-стойкие наноструктуры на основе InAs и технологии создания сенсоров магнитного поля для применения в перспективных Токамаках
- Развит научно-технологический задел в области интегральной радиофотоники на основе InP-гетероструктур. Совместно с АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» разработаны и реализованы конструкции гетероструктур InAlGaAsP для создания СВЧ электрооптических модуляторов диапазона 1,55 мкм как одного из ключевых элементов радиофотоники.
- Разработана программа для квантовомеханического расчета электронной структуры и оптических свойств гетероструктурных квантовых ям и сверхрешеток, в том числе во внешнем электрическом поле.
В настоящее время научные группы выполняют работы в рамках стратегического проекта «Радиофотоника и квантовая сенсорика» в рамках программы Минобрнауки «Приоритет – 2030».