Наноэлектроника и радиофотоника

11.03.04 Электроника и наноэлектроника

Длительность: 4 года
Форма обучения: очная
Язык обучения: русский
Руководитель программы: Никитенко Владимир Роленович
vrnikitenko@mephi.ru +7 (495) 788 56 99, доб. 8092
Научный руководитель: Васильевский Иван Сергеевич
isvasilyevskij@mephi.ru +7 (495) 788 56 99, доб. 8170

Учебный план

Как поступить

Гетероструктурная наноэлектроника и интегральная радиофотоника — ключевые направления, лежащие в основе систем беспроводной и оптоволоконной связи, радиолокации, обработки больших данных.
Программа делает акцент на новых перспективных материалах (нитрид галлия, фосфид индия, алмаз, графен) и новых физических принципах (спинтроника, плазмоника), которые уже сейчас приходят на смену традиционной кремниевой электронике.
Мы выпускаем специалистов полного цикла, обладающих знаниями и навыками в сферах прикладных научных исследований, разработки новых наноматериалов, технологических процессов и производственного маршрута элементной базы наноэлектронных и радиофотонных интегральных схем, алгоритмов компьютерного моделирования и систем автоматизированного проектирования, методов измерения параметров наноэлектронных и радиофотонных устройств.

Особенности программы:
- Программа обеспечена мощной лабораторной базой, в т.ч. производственной линией в области компонентов для СВЧ-электроники, силовой электроники, радиофотоники, квантовых технологий.
- Преподаватели — действующие специалисты, технологи, разработчики электронной компонентной базы и устройств, ведущие учёные в области физики полупроводников и наносистем.
- Студентам даётся возможность выбрать среди двух главных треков — гетероструктурная наноэлектроника и интегральная радиофотоника.
- Кроме того, можно поступить на программу двойной квалификации (электроника и наноэлектроника + программная инженерия), посвящённую разработке специального программного обеспечения для высокотехнологичных отраслей.
Перспективные научные направления, связанные с программой:
- Разработка новых конструкций и технологий элементной базы в следующих областях:
◦ Гетероструктурная СВЧ электроника на основе GaAs, InP, GaN;
◦ Интегральная радиофотоника на платформе InP;
◦ ТГц фотоника, измерительные приборы и сенсоры.
- Физика наносистем, фундаментальные аспекты полупроводниковой электроники и фотоники.
- Моделирование и квантовый дизайн наноматериалов и устройств.
- Теория органических материалов и неупорядоченных сред.

Ключевые дисциплины основной специальности:
- Физика полупроводников
- Твердотельная электроника
- Элементная база СВЧ-электроники
- Гетероструктурная оптоэлектроника
- Основы интегральной радиофотоники
- Технология гетероструктурной СВЧ-электроники
- Прикладные квантовые технологии
- Численные методы и задачи оптимизации в наноэлектронике и радиофотонике
- Системы автоматизированного проектирования электронной компонентной базы
Ключевые дисциплины второй квалификации:
- Дискретная математика
- Алгоритмы и структуры данных
- Языки и методы программирования
- Язык С++ в задачах наноэлектроники
- Язык Python в научных вычислениях
- Вычислительные методы и компьютерное моделирование
- Разработка программного обеспечения для задач наноэлектроники
- Машинное обучение и искусственный интеллект

Кем могут работать наши выпускники:
- инженер-технолог
- инженер-конструктор
- инженер-проектировщик
- инженер-исследователь
- научный сотрудник
В области разработки новых материалов, компонентов и устройств современной наноэлектроники, СВЧ электроники и радиофотоники.
- инженер-программист
В области разработки САПР и другого специализированного программного обеспечения (при обучении по программе двойной квалификации).

Где практикуются наши студенты и работают наши выпускники