Физика и технология полупроводниковых гетероструктур для СВЧ электроники, радиофотоники, ТГц фотоники и сенсоров


Руководители направления:
Васильевский Иван Сергеевич, ISVasilyevskij@mephi.ru
Гусев Александр Сергеевич, ASGusev@mephi.ru
Рыжук Роман Валериевич, ryzhuk-rom@yandex.ru

Исследования ведутся на базе Центра радиофотоники и СВЧ-технологий. Мы ведем исследования в области наноматериалов и нанотехнологий, изучаем электронные и оптические процессы в наносистемах, разрабатываем и исследуем микро- и наноэлектронные приборы и приборы некремниевой электроники, силовой электроники и квантовой электроники.
Переход к гетероструктурам А3В5 (за создание и исследование которые академик Ж.И. Алферов получил Нобелевскую премию в 2000 г.) обеспечивает качественное превосходство приборов СВЧ электроники, фотоники в сравнении с кремниевыми технологиями. Гетероструктуры состоят из слоев различного химического состава и толщины, начиная от одного монослоя материала и до нескольких микрометров, это обеспечивает уникальную широту свойств и новую функциональность таких материалов.
Также мы разрабатываем технологии изготовления конструкций и прототипов приборов СВЧ электроники и радиофотоники.

Радиофотоника является областью науки и техники, в котором используются преимущества генерации, распространения и обработки широкополосных сигналов СВЧ диапазона в оптической форме (на стыке СВЧ электроники, оптоэлектроники и фотоники). С 2023 года утверждено как приоритетное технологическое направление в России.

Области техники, для которых ведутся исследования и разработки: СВЧ электроника, оптоэлектроника, терагерцевая фотоника, радиофотоника, силовая электроника, квантовые технологии, сенсоры физических величин.

Основные методы – компьютерное моделирование, технологии создания гетероструктур и приборов на их основе, экспериментальные методы исследования структурных, оптических, электрических параметров
Перспективные темы исследований
  • Разработка конструкций и технологий гетероструктурной электроники на основе GaAs, InP GaN для СВЧ компонентной базы
  • Моделирование и проектирование устройств СВЧ электроники, радиофотоники, ТГц фотоники и сенсоров в т.ч. на основе квантового дизайна
  • Разработка технологий создания СВЧ интегральных схем на диапазоны частот свыше 40 ГГц
  • Исследование свойств новых гетероструктурных материалов и приборов на их основе
  • Разработка технологий компонент и приборов силовой электроники
  • Разработка технологий и устройств квантовой электроники
Примеры выполненных/текущих научных проектов, в которых мы принимаем участие:

  • "Разработка конструкции и технологии эффективных узлов ввода-вывода для фотонных интегральных схем на технологической платформе InP" (РНФ, 2023-2025)
  • НИР "Разработка элементов мелкосерийной технологии матричных однофотонных фотодетекторов на основе NbN" (заказчик ООО "Сконтел", 2021)
  • "Разработка технологий получения эпитаксиальных широкозонных гетероструктур для нового поколения СВЧ- и силовых приборов" (Минобрнауки РФ)
  • Составная часть НИР "Методы синхротронной и нейтронной диагностики материалов ядерной, термоядерной энергетики и сверхпроводящих материалов" (Минобрнауки РФ, ФНТП "Развитие синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019-2027", 2019-2023)
  • НИР "Разработка монолитной интегральной схемы СВЧ малошумящего усилителя РНЕМТ Х диапазона частот" (АО «ПКК Миландр», 2019-2022)
  • "Исследование новых материалов, способов и схем построения сверхвысокочастотного интегрального электрооптического модулятора для информационно-телекоммуникационных систем следующих поколений" (РФФИ, 2018-2021)
  • "Электронные транспортные, оптические и морфологические свойства гетероструктур с высокоплотными слоями квантовых колец GaAs/AlGaAs, легированными кремнием" (РФФИ)
  • НИР "Разработка технологий и компонентов интегральной сверхвысокочастотной радиофотоники" (Минобрнауки, 2017-2019)
  • "Разработка кластерной технологии планаризации поверхности диэлектрических материалов (сапфир, кварцевое стекло) для создания нового поколения приборов и устройств для различных отраслей промышленности" (Минобрнауки РФ)
  • НИР "Разработка технологии роста эпитаксиальных гетероструктур InAlAs/InGaAs для производства полевых транзисторов и МИС в диапазонах частот 40-110 ГГц" (2016)
Поперечное сечение многослойной гетероструктуры квантово-каскадного лазера (просвечивающая электронная микроскопия)
Элементы СВЧ интегральной схемы на основе РНЕМТ гетероструктур разработки НИЯУ МИФИ
Элементы СВЧ интегральной схемы на основе РНЕМТ гетероструктур разработки НИЯУ МИФИ

Квантовые магнетотранспортные осцилляции РНЕМТ структур при низких температурах

Элементы СВЧ интегральной схемы на основе РНЕМТ гетероструктур разработки НИЯУ МИФИ

Квантовые кольца, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Технология эпитаксии позволяет вырастить структурно-совершенные нанослои с толщиной
менее 1 нм!

ККЛ лазер, изготовленный в ИСВЧПЭ РАН на основе гетеростурктур МИФИ

Фото изготовленных макетов модуляторов Маха-Цендера с геометрией линии бегущей волны

Научные и технологические достижения:
  • Выполнен цикл работ по оптимизации квантового дизайна и технологии эпитаксиального роста РНЕМТ GaAs и InP HEMT, метаморфных НЕМТ гетероструктур, являющихся основными материалами для СВЧ полупроводниковой электроники.
  • Определены ключевые параметры зонной структуры РНЕМТ структур с квантовыми ямами для СВЧ электроники – зависимости концентрации и подвижности электронов, их эффективной массы от концентрации легирования кремнием.
  • Разработан технологический процесс РНЕМТ-015 с длиной затвора 150 нм, являющийся основой для создания СВЧ микросхем малошумящих усилителей, не уступающих по параметрам лучшим мировым аналогам, на частоту до 40 ГГц.
  • Разработаны новые радиационно-стойкие наноструктуры на основе InAs и технологии создания сенсоров магнитного поля для применения в перспективных Токамаках
  • Развит научно-технологический задел в области интегральной радиофотоники на основе InP-гетероструктур. Совместно с АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха» разработаны и реализованы конструкции гетероструктур InAlGaAsP для создания СВЧ электрооптических модуляторов диапазона 1,55 мкм как одного из ключевых элементов радиофотоники.
  • Разработана программа для квантовомеханического расчета электронной структуры и оптических свойств гетероструктурных квантовых ям и сверхрешеток, в том числе во внешнем электрическом поле.

В настоящее время научные группы выполняют работы в рамках стратегического проекта «Радиофотоника и квантовая сенсорика» в рамках программы Минобрнауки «Приоритет – 2030».