2.2.2 Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств


Радиофотоника, гетероструктурная электроника, органические полупроводники


Выпускающая кафедра: кафедра физики конденсированных сред (67)
Форма обучения: очная
Срок обучения: 4 года
Руководитель программы: Васильевский Иван Сергеевич
ISVasilyevskij@mephi.ru, тел. +7 (495) 788-56-99 доб. 8170
Целью программы аспирантуры является подготовка кадров высшей квалификации в области методов моделирования и проектирования, разработки новых материалов и технологий, системотехнического дизайна электронной компонентной базы, радиотехнических систем, микроконтроллеров. По окончании аспирант защищает диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических или технических наук в области разработки материалов, нанотехнологий компонентной базы твердотельной электроники и радиофотоники, приборов на квантовых эффектах, в том числе на основе новых размерных монослойных и гетероструктурных материалов, схемотехнического проектирования систем. Обучение проводится на основе современной исследовательской и технологической инфраструктуры НИЯУ МИФИ. Аспиранты участвуют в выполнении НИОКР в предметной области исследований.
Научные направления:
  • Гетероструктурная СВЧ электроника – технологии проектирования, создания и исследования новых материалов на основе A3B5, SiC, графена и гибридных материалов.
  • Исследования и разработки технологий создания перспективной компонентной базы СВЧ электроники, силовой электроники, радиофотоники, сенсоров.
  • Системотехнический дизайн в области СВЧ электроники, радиофотоники, сенсоров.
  • Радиационно-стойкая электроника и компонентная база – методы проектирования, исследования стойкости, методы повышения стойкости.
Организации-партнеры для проведения совместных научных исследований:
  • ФГАНУ ИСВЧПЭ им. В.Г. Мокерова РАН АО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха"
Научные группы, научные лаборатории, центры НИЯУ МИФИ:
  • Центр радиофотоники и СВЧ технологий НИЯУ МИФИ (линейка А3В5 нанофабрикации для СВЧ и радиофотонной компонентной базы);
  • Центр экстремальной прикладной электроники НИЯУ МИФИ;
  • Инжиниринговый центр МИФИ.
  • 1.3.8. Физика конденсированного состояния
(технические, физико-математические науки)
2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств
(технические, физико-математические науки)
2.3.2. Вычислительные системы и их элементы
(технические науки)